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    使用Bosch深硅刻蚀工艺制作高深宽比硅通孔，进行氧化绝缘内衬、铜电镀填充，通过CMP抛光暴露导电铜塞，实现芯片正背面之间最短信号路径的Z轴互连。
     

    产品优势


     

    产品结构图

    配图：硅通孔阵列截面SEM形貌，显示实心铜柱镶嵌。

应用产品

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